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成功参加北京铸造展

成功参加北京铸造展
发布时间：
2018-07-18 10:29
摘要：
2015年09月08—10日，公司总经理林建铃亲自带队，成功参加北京铸造展，并取得丰硕成果。
锦利电器有限公司新产品研发！

锦利电器有限公司新产品研发！
发布时间：
2018-07-18 10:28
摘要：
锦利电器有限公司多年来一直坚持产品的不断创新。目前，直径100mm/7000V晶闸管产品已经通过试用期，正式投入市场。
KP1500A/4000V高压软启动组件投入市场

KP1500A/4000V高压软启动组件投入市场
发布时间：
2018-07-18 10:27
摘要：
经过一年多的研制和实际试验运行，锦利电器的KP1500A/4000V高压软启动组件在上海第68届国际电子展览会期间正式投入市场。
30亿晶体管 打造GF100和GF110核心

30亿晶体管 打造GF100和GF110核心
发布时间：
2018-07-18 10:25
摘要：
●不得不说的秘密NVIDIAGTC2010　　在今年9月的NVIDIAGTC2010大会上，笔者被邀请前往美国参加此次盛会，同时还有幸参观了NVIDIA位于硅谷的总部。在总部参观过程中的一站为GTL（GameTestLab）部门，这个部门是针对已发布、未发布和对手已发布的全线产品进行全面游戏性能测试，因为GTL实验室是NVIDIA“游戏之道”的一个重要环节。　　而在此次GTL实验室的参观中，笔者看
超低压双电层晶体管研究获进展

超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间：
2018-07-18 09:26
摘要：
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（IonG
超低压双电层晶体管研究获进展

超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间：
2018-07-18 09:20
摘要：
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（IonG
超低压双电层晶体管研究获进展

超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间：
2018-07-18 09:20
摘要：
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（IonG
硅制晶体管、半导体的时代即将过去

硅制晶体管、半导体的时代即将过去
发布时间：
2018-07-18 09:18
摘要：
生意社12月1日讯　在未来的几十年里，芯片制造商将不能通过把更小的晶体管集成到一块芯片上，来制造出速度更快的硅制芯片，因为太小的硅制晶体管容易破裂，同时非常昂贵。　　人们研究的材料想要超越硅，就需要克服许多挑战。如今，加州大学伯克利分校的研究人员找到一种方法，可以跨越这个障碍：他们已经开发出一种可靠的方法，可以制造出快速、低功耗的纳米级晶体管，所用的是一种化合物半导体材料。他们的方法更简单，并且肯
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