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新闻中心
成功参加北京铸造展
发布时间:
2018-07-18 10:29
摘要:
2015年09月08—10日,公司总经理林建铃亲自带队,成功参加北京铸造展,并取得丰硕成果。
锦利电器有限公司新产品研发!
发布时间:
2018-07-18 10:28
摘要:
锦利电器有限公司多年来一直坚持产品的不断创新。目前,直径100mm/7000V晶闸管产品已经通过试用期,正式投入市场。
KP1500A/4000V高压软启动组件投入市场
发布时间:
2018-07-18 10:27
摘要:
经过一年多的研制和实际试验运行,锦利电器的KP1500A/4000V高压软启动组件在上海第68届国际电子展览会期间正式投入市场。
30亿晶体管 打造GF100和GF110核心
发布时间:
2018-07-18 10:25
摘要:
●不得不说的秘密NVIDIAGTC2010  在今年9月的NVIDIAGTC2010大会上,笔者被邀请前往美国参加此次盛会,同时还有幸参观了NVIDIA位于硅谷的总部。在总部参观过程中的一站为GTL(GameTestLab)部门,这个部门是针对已发布、未发布和对手已发布的全线产品进行全面游戏性能测试,因为GTL实验室是NVIDIA“游戏之道”的一个重要环节。  而在此次GTL实验室的参观中,笔者看
超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间:
2018-07-18 09:26
摘要:
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件,在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年,宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点,在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱,当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V,大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明,离子液、离子凝胶(IonG
超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间:
2018-07-18 09:20
摘要:
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件,在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年,宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点,在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱,当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V,大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明,离子液、离子凝胶(IonG
超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间:
2018-07-18 09:20
摘要:
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件,在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年,宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点,在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱,当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V,大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明,离子液、离子凝胶(IonG
硅制晶体管、半导体的时代即将过去
摘要:
生意社12月1日讯 在未来的几十年里,芯片制造商将不能通过把更小的晶体管集成到一块芯片上,来制造出速度更快的硅制芯片,因为太小的硅制晶体管容易破裂,同时非常昂贵。  人们研究的材料想要超越硅,就需要克服许多挑战。如今,加州大学伯克利分校的研究人员找到一种方法,可以跨越这个障碍:他们已经开发出一种可靠的方法,可以制造出快速、低功耗的纳米级晶体管,所用的是一种化合物半导体材料。他们的方法更简单,并且肯
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