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超低压双电层晶体管研究获进展

超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间：
2018-07-18 09:20
摘要：
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（IonG
超低压双电层晶体管研究获进展

超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间：
2018-07-18 09:20
摘要：
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（IonG
硅制晶体管、半导体的时代即将过去

硅制晶体管、半导体的时代即将过去
发布时间：
2018-07-18 09:18
摘要：
生意社12月1日讯　在未来的几十年里，芯片制造商将不能通过把更小的晶体管集成到一块芯片上，来制造出速度更快的硅制芯片，因为太小的硅制晶体管容易破裂，同时非常昂贵。　　人们研究的材料想要超越硅，就需要克服许多挑战。如今，加州大学伯克利分校的研究人员找到一种方法，可以跨越这个障碍：他们已经开发出一种可靠的方法，可以制造出快速、低功耗的纳米级晶体管，所用的是一种化合物半导体材料。他们的方法更简单，并且肯
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