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超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间:
2018-07-18 09:20
摘要:
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件,在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年,宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点,在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱,当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V,大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明,离子液、离子凝胶(IonG
超低压双电层晶体管研究获进展
发布时间:
2018-07-18 09:20
摘要:
膜晶体管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一类重要的半导体器件,在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年,宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点,在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱,当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V,大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明,离子液、离子凝胶(IonG
硅制晶体管、半导体的时代即将过去
摘要:
生意社12月1日讯 在未来的几十年里,芯片制造商将不能通过把更小的晶体管集成到一块芯片上,来制造出速度更快的硅制芯片,因为太小的硅制晶体管容易破裂,同时非常昂贵。  人们研究的材料想要超越硅,就需要克服许多挑战。如今,加州大学伯克利分校的研究人员找到一种方法,可以跨越这个障碍:他们已经开发出一种可靠的方法,可以制造出快速、低功耗的纳米级晶体管,所用的是一种化合物半导体材料。他们的方法更简单,并且肯
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