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真空闭管镓铝全扩散工艺；平板型陶瓷管壳冷压封装；引入场门极结构；双面冷却允许串并联；电流密度大；最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

真空闭管镓铝全扩散工艺；引入场门极结构；优良的动态特性；开关损耗低、速度快；平板型陶瓷管壳冷压封装；双面冷却允许串并联；最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

真空闭管镓铝全扩散工艺；引入场门极结构；优良的动态特性，适用频率2.5KHZ-20KHZ；平板型陶瓷管壳冷压封装；双面冷却允许串并联；最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

真空闭管硼铝全扩散工艺；平板型陶瓷管壳冷压封装；双面冷却；电流密度大；最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

真空闭管硼铝全扩散工艺；平板型陶瓷管壳冷压封装；双面冷却；反向恢复电荷小；具有快速软恢复特性；最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

超小体积、超大电流；超薄硅片的精细制造、保护工艺；超薄管壳和无管壳封装；特殊的多层金属化欧姆接触；大功率雪崩特性。

芯片与底板电气绝缘；国际标准封装；全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力；350A以下模块皆为强迫冷风，400A以上模块既可选用风冷，也可选用水冷。

芯片与底板电气绝缘；国际标准封装；全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力；400A以下模块皆为强迫冷风，500A以上模块既可选用风冷，也可选用水冷。

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