可控硅

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产品内容

普通晶闸管

真空闭管镓铝全扩散工艺;平板型陶瓷管壳冷压封装;引入场门极结构;双面冷却允许串并联;电流密度大;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

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快速晶闸管

真空闭管镓铝全扩散工艺;引入场门极结构;优良的动态特性;开关损耗低、速度快;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却允许串并联;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

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高频晶闸管

真空闭管镓铝全扩散工艺;引入场门极结构;优良的动态特性,适用频率2.5KHZ-20KHZ;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却允许串并联;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

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整流二极管

真空闭管硼铝全扩散工艺;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却;电流密度大;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

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快恢复二极管

真空闭管硼铝全扩散工艺;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却;反向恢复电荷小;具有快速软恢复特性;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。

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高密度二极管

超小体积、超大电流;超薄硅片的精细制造、保护工艺;超薄管壳和无管壳封装;特殊的多层金属化欧姆接触;大功率雪崩特性。

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普通晶闸管模块

芯片与底板电气绝缘;国际标准封装;全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力;350A以下模块皆为强迫冷风,400A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷。

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普通整流管模块

芯片与底板电气绝缘;国际标准封装;全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力;400A以下模块皆为强迫冷风,500A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷。

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普通晶闸管/整流管混合模块

芯片与底板电气绝缘;国际标准封装;全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力;350A以下模块皆为强迫冷风,400A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷。

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快速晶闸管/整流管模块

非绝缘,底板为公共电极;国际标准封装;全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力;高浪涌电流;低正向压降。

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